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BCP55-16

STMicroelectronics Transistors Bipolar (BJT)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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BCP55-16

STMicroelectronics Transistors Bipolar (BJT)

产品简介：Transistors Bipolar (BJT) NPN Medium Voltage

BCP55-16 供应商

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BCP55-16 中文资料属性参数

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 最大直流电集电极电流：1 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：40
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：120 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOT-223
  • 封装：Reel
  • 集电极连续电流：1 A
  • 功率耗散：1400 mW
  • 工厂包装数量：1000

BCP55-16 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
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