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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：Transistors Bipolar (BJT) 100mA 30V PNP
BC859CLT3G 中文资料属性参数
- 制造商：ON Semiconductor
- 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
- 晶体管极性：PNP
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
- 最大直流电集电极电流：0.1 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：270 at 10 uA at 5 V
- 配置：Single
- 最大工作频率：100 MHz
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOT-23-3
- 封装：Reel
- 集电极连续电流：- 0.1 A
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：225 mW
- 工厂包装数量：3000
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