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BC859C

Fairchild Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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BC859C

Fairchild Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

产品简介：Transistors Bipolar (BJT) SOT-23 PNP GP AMP

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BC859C 中文资料属性参数

  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性：PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 最大直流电集电极电流：0.1 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：420 at 2 mA at 5 V
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：150 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOT-23
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：310 mW

BC859C 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
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