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- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：剪切带 (CT)
更新日期：2024-04-01
产品简介：TRANS NPN LP 100MA 30V SOT23
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：剪切带 (CT)
BC848BLT1 供应商
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BC848BLT1
原装现货 -
ONSEMI/安森美
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SOT23
0043+ -
8942
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深圳
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11-18
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只做原装，实单来谈
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onsemi
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SOT-23-3
21+ -
220000
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上海市
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-
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一级代理原装
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ON/ELNAF
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SOT23
1905+ -
9000
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
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ON
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SOT-23
21+ -
200000
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上海市
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原装现货，品质为先！请来电垂询！
BC848BLT1 中文资料属性参数
- 标准包装：10
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：200 @ 2mA，5V
- 功率 - 最大：225mW
- 频率 - 转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：剪切带 (CT)
- 其它名称：BC848BLT1OSCT
BC848BLT1 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 BC848BLT1
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SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors |
1页,94K | 查看 |
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BC848BLT1G
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TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:100; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:600mV; Current Ic Continuous a Max:100mA; Current Ic hFE:450mA; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:200; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:225mW; Power Dissipation Ptot Max:300mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Noise Figure Typ:10dB; Test Frequency:1kHz |
6页,156K | 查看 |