更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:Transistors Bipolar (BJT) NPN BIPOLAR
BC847C-7 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
Diodes
-
原厂原封装
新批号 -
887000
-
上海市
-
-
-
原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
-
双极型晶体管
-
DiodesZetex
连可连代销V -
8
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上海市
-
-
-
1
BC847C-7 中文资料属性参数
- 制造商:Diodes Inc.
- 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
- 晶体管极性:NPN
- 集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
- 最大直流电集电极电流:0.1 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min:420 at 2 mA at 5 V
- 配置:Single
- 最大工作频率:300 MHz
- 最大工作温度:+ 150 C
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:SOT-23
- 封装:Reel
- 最小工作温度:- 65 C
- 功率耗散:300 mW
- 工厂包装数量:3000
BC847C-7 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
BC847C-7
|
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
3 Pages页,47K | 查看 |
BC847C-7-F
|
TRANSISTOR, NPN, SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:600; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:600mV; Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:300MHz; Hfe Min:420; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Small Signal |
4页,271K | 查看 |
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