- 封装:SC-70,SOT-323
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.0141-$0.02703
更新日期:2024-04-01
产品简介:TRANSISTOR NPN 65V 100MA SC-70
- 封装:SC-70,SOT-323
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.0141-$0.02703
BC846BWT1G 供应商
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BC846BWT1G
原装现货 -
ON
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SC70
23+ -
6000
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深圳
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12-03
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ON
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8 -
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杭州
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原装正品现货
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ON/安森美
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SOT-323
21+ -
10000
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杭州
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只做原装,大量现货供应
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ONS
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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ON/ELNAF
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SOT323
1807+ -
27000
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
BC846BWT1G 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):65V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大):-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V
- 功率 - 最大:225mW
- 频率 - 转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70-3(SOT323)
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:BC846BWT1GOSTR
BC846BWT1G 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
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BIPOLAR TRANSISTOR; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:65V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:200V; Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:450; Package / Case:SOT-323; Power Dissipation Pd:150mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose |
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