- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.0125-$0.02397
更新日期:2024-04-01
产品简介:TRANS NPN LP 100MA 65V SOT23
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
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BC846BLT1G 供应商
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BC846BLT1G
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SOT-23 (TO-236) 3 LEAD
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5748
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BC846BLT1G 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):65V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大):-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V
- 功率 - 最大:225mW
- 频率 - 转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:BC846BLT1GOSTR
BC846BLT1G 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
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TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:65V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:450; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:200V; Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:450; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose |
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