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- 封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANSISTOR NPN GP 80V 1A TO-92
- 封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
BC639 供应商
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旋尔只做进口原装，假一赔十...
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只做原装，大量现货供应
BC639 中文资料属性参数
- 标准包装：5,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：40 @ 150mA，2V
- 功率 - 最大：625mW
- 频率 - 转换：200MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：散装
- 其它名称：BC639OS
BC639 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 BC639
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NPN Silicon AF Transistors (High current gain High collector current) |
5 Pages页,185K | 查看 |
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COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
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High Current Transistors |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
4 Pages页,185K | 查看 |
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BC639
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NPN medium power transistors |
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BC639-10
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NPN medium power transistors |
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BC63916
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Switching and Amplifier Applications |
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BC639-16
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NPN medium power transistors |
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