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  • RoHS:
    • 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
    • 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
    • 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
    • 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明:Diodes (General Purpose, Power, Switching) SWITCHING DIODE

更新日期:2024-04-01 00:04:00

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产品简介:发光二极管(通用、电源、转换) SWITCHING DIODE

  • RoHS:
    • 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
    • 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
    • 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
    • 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明:Diodes (General Purpose, Power, Switching) SWITCHING DIODE

BAW56M T/R 中文资料属性参数

  • 制造商:NXP
  • 产品种类:发光二极管(通用、电源、转换)
  • 产品:Switching Diodes
  • 峰值反向电压:90 V
  • 正向连续电流:0.15 A
  • 最大浪涌电流:4 A
  • 配置:Dual Common Anode
  • 恢复时间:4 ns
  • 正向电压下降:1.25 V
  • 最大反向漏泄电流:0.5 uA
  • 工作温度范围:+ 150 C
  • 封装 / 箱体:SC-101-3
  • 封装:Reel
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 工厂包装数量:10000
  • 零件号别名:BAW56M,315

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