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BAV19WS

Taiwan Semiconductor 发光二极管（通用、电源、转换）
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Diodes (General Purpose, Power, Switching) 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS
  • 参考价格：￥0.179

更新日期：2024-12-26

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BAV19WS

Taiwan Semiconductor 发光二极管（通用、电源、转换）

产品简介：发光二极管（通用、电源、转换） 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Diodes (General Purpose, Power, Switching) 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS
  • 参考价格：￥0.179

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BAV19WS 中文资料属性参数

  • 制造商：Taiwan Semiconductor
  • 产品种类：发光二极管（通用、电源、转换）
  • 封装：Reel
  • 工厂包装数量：3000

BAV19WS 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
BAV19WS

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BAV19WS

Dated : 15/06/2012 TOP DYNAMIC BAV19WS, BAV20WS, BAV21WS Silicon Epitaxial Planar Diodes High Voltage Switching Diode Features ? Fast switching speed ? Surface mount package ideally suited for automatic insertion Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Repetitive Peak Reverse Voltage BAV19WS BAV20WS BAV21WS V RRM 120 200 250 V Reverse Voltage BAV19WS BAV20WS BAV21WS V R 100 150 200 V Average Rectified Forward Current I F(AV) 200 mA Forward Continuous Current I FM 400 mA Repetitive Peak Forward Current I FRM 625 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current at t = 1 μs at t = 1 s I FSM 2.5 0.5 A Power Dissipation P tot 200 mW Operating and Storage Temperature Range T j , T stg - 65 to + 150 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Max. Unit Reverse Breakdown Voltage at I R = 100 μA BAV19WS BAV20WS BAV21WS V (BR)R 120 200 250 - - - V Rev

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SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

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