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BAT43WS

Taiwan Semiconductor 肖特基（二极管与整流器）
  • 参考价格：￥0.20

更新日期：2024-12-27 11:12:35

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BAT43WS

Taiwan Semiconductor 肖特基（二极管与整流器）

产品简介：肖特基（二极管与整流器） 30 Volt 200mA 200mW

  • 参考价格：￥0.20

BAT43WS 供应商

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BAT43WS 中文资料属性参数

  • 制造商：Taiwan Semiconductor
  • 产品种类：肖特基（二极管与整流器）
  • 产品：Schottky Diodes
  • 峰值反向电压：30 V
  • 正向连续电流：0.2 A
  • 最大浪涌电流：4 A
  • 配置：Single
  • 恢复时间：5 ns
  • 正向电压下降：1 V
  • 最大反向漏泄电流：0.5 uA at 25 V
  • 工作温度范围：- 65 C to + 125 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOD-323F
  • 封装：Reel
  • 工厂包装数量：3000
  • 零件号别名：RR

BAT43WS 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
BAT43WS

Advanced Schottky Barrier Diodes - Surface mount small signal type

 2 Pages页,66K 查看
BAT43WS

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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BAT43WS

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER

 3 Pages页,66K 查看
BAT43WS

Dated : 18/04/2012 TOP DYNAMIC BAT42WS, BAT43WS Surface Mount Schottky Barrier Diode Features ? Low Forward Voltage ? Fast Switching ? Ultra-Small Surface Mount Package Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 30 V Reverse Voltage V R 30 V Average Rectified Output Current I O 100 mA Forward Continuous Current I FM 200 mA Repetitive Peak Forward Current at t < 1 s I FRM 500 mA Non-repetitive Peak Forward Surge Current at t < 10 ms I FSM 2 A Power Dissipation P tot 200 mW Thermal Resistance, Junction to Ambient R ?JA 625 O C/W Junction Temperature T j - 55 to + 125 O C Storage Temperature Range T Stg - 55 to + 125 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Max. Unit Reverse Breakdown Voltage at I R = 100 μA V (BR)R 30 - V Reverse Current at V R = 25 V I R - 500 nA Forward Voltage at I F = 200 mA

3页,111K 查看
BAT43WS-7

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

 2 Pages页,66K 查看
BAT43WS-T1

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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BAT43WS-T3

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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BAT43WS-TP

Diode Schottky 30V 100mA Surface Mount SOD-323

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