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BAS19,215

NXP Semiconductors 单二极管/整流器
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

更新日期：2024-04-01

BAS19,215

NXP Semiconductors 单二极管/整流器

产品简介：DIODE GEN-PURP 120V 200MA SOT-23

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

BAS19,215 供应商

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BAS19,215 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：单二极管/整流器
  • 系列：-
  • 二极管类型：标准
  • 电压 - (Vr)（最大）：100V
  • 电流 - 平均整流 (Io)：200mA（DC）
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）：1.25V @ 200mA
  • 速度：小信号 =
  • 反向恢复时间(trr)：50ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电：100nA @ 100V
  • 电容@ Vr, F：5pF @ 0V，1MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：TO-236AB
  • 包装：带卷 (TR)

BAS19,215 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
BAS19,215

DIODE, GEN-PURP, 120V, 0.2A, SOT-23; Diode Type:General Purpose; Forward Current If(AV):200mA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:120V; Forward Voltage VF Max:1.25V; Reverse Recovery Time trr Max:50ns; Forward Surge Current Ifsm Max:9A; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Diode Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Current Ifsm:1.7A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:SOT-23; Reverse Recovery Time trr Typ:50ns; Termination Type:SMD

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