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  • RoHS:
    • 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
    • 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
    • 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
    • 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明:IGBT Transistors
  • 参考价格:¥8.28-¥8.69

更新日期:2024-04-01

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产品简介:IGBT 晶体管

  • RoHS:
    • 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
    • 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
    • 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
    • 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明:IGBT Transistors
  • 参考价格:¥8.28-¥8.69

AUIRGR4045DTRR 中文资料属性参数

  • 制造商:International Rectifier
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
  • 集电极—射极饱和电压:2 V
  • 栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
  • 在25 C的连续集电极电流:12 A
  • 栅极—射极漏泄电流:+/- 100 nA
  • 功率耗散:77 W
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 封装 / 箱体:DPAK
  • 封装:Reel
  • 集电极最大连续电流 Ic:12 A
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 工厂包装数量:3000

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