- RoHS:
镉(Cd)/镉化合物 0.01%
六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
铅(Pb)/铅化合物 0.10%
汞(Hg)/汞化合物 0.10%
多溴联苯(PBB)0.10%
多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:IGBT Transistors - 参考价格:¥8.28-¥8.69
更新日期:2024-04-01

产品简介:IGBT 晶体管
- RoHS:
镉(Cd)/镉化合物 0.01%
六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
铅(Pb)/铅化合物 0.10%
汞(Hg)/汞化合物 0.10%
多溴联苯(PBB)0.10%
多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:IGBT Transistors - 参考价格:¥8.28-¥8.69
AUIRGR4045DTRR 中文资料属性参数
- 制造商:International Rectifier
- 配置:Single
- 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
- 集电极—射极饱和电压:2 V
- 栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
- 在25 C的连续集电极电流:12 A
- 栅极—射极漏泄电流:+/- 100 nA
- 功率耗散:77 W
- 最大工作温度:+ 150 C
- 封装 / 箱体:DPAK
- 封装:Reel
- 集电极最大连续电流 Ic:12 A
- 最小工作温度:- 40 C
- 安装风格:SMD/SMT
- 工厂包装数量:3000
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