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ASDL-6770-C22

Lite-On Phototransistors
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Photodetector Transistors Phototransistor 40 Degrees
  • 参考价格：￥0.69-￥1.45

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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ASDL-6770-C22

Lite-On Phototransistors

产品简介：Phototransistors Phototransistor 40 Degrees

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Photodetector Transistors Phototransistor 40 Degrees
  • 参考价格：￥0.69-￥1.45

ASDL-6770-C22 中文资料属性参数

  • 制造商：Lite-On
  • 产品种类：Phototransistors
  • 最大功率耗散：100 mW
  • 最大暗电流：100 nA
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
  • 下降时间：15 us
  • 最大工作温度：+ 85 C
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 封装：Reel
  • 上升时间：10 us
  • 工厂包装数量：2000
  • 类型：IR Chip

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