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AS4C4M16S-6TAN

内存
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：DRAM 64M (4M x 16) 3.3V SDRAM
  • 参考价格：￥10.07-￥9.80

更新日期：2024-04-01 00:04:00

AS4C4M16S-6TAN

内存

产品简介：动态随机存取存储器 64M (4M x 16) 3.3V S动态随机存取存储器

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：DRAM 64M (4M x 16) 3.3V SDRAM
  • 参考价格：￥10.07-￥9.80

AS4C4M16S-6TAN 中文资料属性参数

  • 制造商：Alliance Memory
  • 数据总线宽度：16 bit
  • 组织：4 Mbit x 16
  • 封装 / 箱体：TSOP-54
  • 存储容量：64 Mbit
  • 最大时钟频率：143 MHz
  • 访问时间：5.4 ns
  • Supply Voltage - Max：4.6 V
  • Supply Voltage - Min：- 1 V
  • 最大工作电流：75 mA
  • 最大工作温度：+ 105 C
  • 工厂包装数量：108

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