您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

ALD110900SAL

Advanced Linear Devices MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
  • 参考价格：￥10.35-￥9.52

更新日期：2024-04-01 00:04:00

暂无图片

ALD110900SAL

Advanced Linear Devices MOSFET

产品简介：MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
  • 参考价格：￥10.35-￥9.52

ALD110900SAL 中文资料属性参数

  • 制造商：Advanced Linear Devices
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：10 V
  • 闸/源击穿电压：10.6 V
  • 漏极连续电流：12 mA
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：500 Ohms
  • 配置：Dual
  • 最大工作温度：+ 70 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：0.0014 S
  • 最小工作温度：0 C
  • 功率耗散：500 mW
  • 工厂包装数量：50
  • 典型关闭延迟时间：10 ns

ALD110900SAL 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9