ADS41B25IRGZR

Texas Instruments 数据采集 - 模数转换器

封装：48-VFQFN 裸露焊盘
RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
包装方式：带卷 (TR)
参考价格：$34.472

更新日期：2024-04-01 00:04:00

ADS41B25IRGZR

Texas Instruments 数据采集 - 模数转换器

产品简介：12 位、125MSPS 模数转换器 (ADC)

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封装：48-VFQFN 裸露焊盘
RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
包装方式：带卷 (TR)
参考价格：$34.472

ADS41B25IRGZR 供应商

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询价

上海三崧电子有限公司 保2千
ADS41B25IRGZR
TI
原厂原装
22+
3288
上海市
-
一级代理原装

ADS41B25IRGZR 中文资料属性参数

标准包装：2,500
类别：集成电路 (IC)
家庭：数据采集 - 模数转换器
系列：-
位数：12
采样率（每秒）：125M
数据接口：CMOS，LVDS，串行，并行
转换器数目：1
功率耗散（最大）：-
电压电源：模拟和数字
工作温度：-40°C ~ 85°C
安装类型：表面贴装
封装/外壳：48-VFQFN 裸露焊盘
供应商设备封装：48-VQFN 裸露焊盘（7x7）
包装：带卷 (TR)
输入数目和类型：2 单端，1 个差分

产品特性

分辨率：12 位 125MSPS
集成高阻抗模拟输入缓冲器: dc 输入电容：3.5pF dc 输入电阻：10kΩ
dc 输入电容：3.5pF
dc 输入电阻：10kΩ
最高采样速率：125MSPS
超低功耗： 1.8V 模拟功耗：114mW 3.3V 缓冲功耗：96mW I/O 功耗：100mW (DDR LVDS)
1.8V 模拟功耗：114mW
3.3V 缓冲功耗：96mW
I/O 功耗：100mW (DDR LVDS)
高动态性能： SNR: 68.3dBFS （170MHz 时） SFDR: 87dBc（170MHz 时）
SNR: 68.3dBFS （170MHz 时）
SFDR: 87dBc（170MHz 时）
输出接口：支持可编程摆幅和强度的双倍数据速率 (DDR) LVDS：标准摆幅：350mV 低摆幅：200mV 默认强度：100Ω 终端电阻 2 倍强度：50Ω 终端电阻也支持 1.8V 并行 CMOS 接口
支持可编程摆幅和强度的双倍数据速率 (DDR) LVDS：标准摆幅：350mV 低摆幅：200mV 默认强度：100Ω 终端电阻 2 倍强度：50Ω 终端电阻
标准摆幅：350mV
低摆幅：200mV
默认强度：100Ω 终端电阻
2 倍强度：50Ω 终端电阻
也支持 1.8V 并行 CMOS 接口
可编程增益支持 SNR/SFDR 平衡
DC 偏移校正
支持低输入时钟幅度
封装： QFN-48 (7mm × 7mm)

产品概述

ADS41B25 作为 ADS4xxx 模数转换器 (ADC) 系列成员，采用集成模拟输入缓冲器。该器件运用创新的设计技术以实现高动态性能，且功耗极低。其模拟输入引脚采用缓冲器，具有跨宽频率范围的恒量性能和输入阻抗优势。这类器件非常适合于 PA l线性化等多载波、大带宽通信应用。ADS41B25 具有数字增益和偏移校正等功能。该增益选项可用于在较低的满量程输入范围（特别是高输入频率条件）下改善 SFDR 性能。集成的 dc 偏移校正环路可用于评估和消除 ADC 偏移。在较低的采样速率条件下， ADC 的操作功耗将自动减低，而没有性能损失。该器件支持双数据速率 (DDR) 、低电压差动信号 (LVDS) 和 CMOS 数字输出接口。 DDR LVDS 接口（最大 500MBPS）的低数据速率实现了对基于现场可编程门阵列 (FPGA) 的低成本接收器的采用。该器件具有可用于进一步降低功耗的低摆幅 LVDS 模式。可提高 LVDS 输出缓冲器的强度来支持 50Ω 差分终端电阻。器件采用紧凑型 QFN-48 封装，而且其技术规格是针对工业温度范围（–40°C 至 +85°C）拟订的。

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ADS41B25IRGZR 电路图

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