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5HN01M-TL-E
MOSFET 晶体管- 参考价格：RMB0.52-RMB0.59
更新日期：2024-04-01 00:04:00
5HN01M-TL-E
MOSFET 晶体管- 参考价格：RMB0.52-RMB0.59
5HN01M-TL-E 供应商
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5HN01M-TL-E 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：105 ns
- 典型接通延迟时间：10 ns
- 典型栅极电荷@Vgs：1.4 nC V @ 10
- 典型输入电容值@Vds：6.2 pF V @ 10
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：1.25mm
- 封装类型：MCP
- 尺寸：2 x 1.25 x 0.9mm
- 引脚数目：3
- 最大功率耗散：0.15 W
- 最大栅源电压：±20 V
- 最大漏源电压：50 V
- 最大漏源电阻值：10.5
- 最大连续漏极电流：0.1 A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：1
- 类别：通用
- 通道模式：增强
- 通道类型：N
- 配置：单
- 长度：2mm
- 高度：0.9mm
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