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3LP03S-TL-E
MOSFET 晶体管更新日期：2024-04-01 00:04:00
3LP03S-TL-E
MOSFET 晶体管3LP03S-TL-E 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：15 ns
- 典型接通延迟时间：9.5 ns
- 典型栅极电荷@Vgs：0.8 nC V @ -4
- 典型输入电容值@Vds：40 pF V @ -10
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：0.8mm
- 封装类型：SMCP
- 尺寸：1.6 x 0.8 x 0.75mm
- 引脚数目：3
- 最大功率耗散：0.15 W
- 最大栅源电压：-10 V
- 最大漏源电压：-30 V
- 最大漏源电阻值：8
- 最大连续漏极电流：-0.25 A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：1
- 类别：通用
- 通道模式：增强
- 通道类型：P
- 配置：单
- 长度：1.6mm
- 高度：0.75mm
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