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3HN04SS-TL-H
MOSFET 晶体管- 参考价格：RMB1.62-RMB1.92
更新日期：2024-04-01 00:04:00
3HN04SS-TL-H
MOSFET 晶体管- 参考价格：RMB1.62-RMB1.92
3HN04SS-TL-H 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：65 ns
- 典型接通延迟时间：14 ns
- 典型栅极电荷@Vgs：1.68 nC V @ 10
- 典型输入电容值@Vds：22 pF V @ 10
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：0.8mm
- 封装类型：SSFP
- 尺寸：1.4 x 0.8 x 0.6mm
- 引脚数目：3
- 最大功率耗散：0.15 W
- 最大栅源电压：±20 V
- 最大漏源电压：30 V
- 最大漏源电阻值：2.2
- 最大连续漏极电流：300 mA
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：1
- 类别：通用
- 通道模式：增强
- 通道类型：N
- 配置：单
- 长度：1.4mm
- 高度：0.6mm
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