- RoHS:
镉(Cd)/镉化合物 0.01%
六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
铅(Pb)/铅化合物 0.10%
汞(Hg)/汞化合物 0.10%
多溴联苯(PBB)0.10%
多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:MOSFET POWER MOSFET - 参考价格:¥69.76-¥97.01
更新日期:2024-04-01
产品简介:MOSFET POWER MOSFET
- RoHS:
镉(Cd)/镉化合物 0.01%
六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
铅(Pb)/铅化合物 0.10%
汞(Hg)/汞化合物 0.10%
多溴联苯(PBB)0.10%
多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:MOSFET POWER MOSFET - 参考价格:¥69.76-¥97.01
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2SK4221 中文资料属性参数
- 制造商:ON Semiconductor
- 产品种类:MOSFET
- 晶体管极性:N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:500 V
- 闸/源击穿电压:30 V
- 漏极连续电流:26 A
- 电阻汲极/源极 RDS(导通):180 mOhms
- 配置:Single
- 最大工作温度:+ 150 C
- 安装风格:Through Hole
- 封装 / 箱体:TO-3PB
- 封装:Tray
- 功率耗散:2.5 W
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