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更新日期：2024-04-01 00:04:00
2SK3109-AZ 供应商
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Renesas
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TO-220-3
21+ -
4900
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上海市
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一级代理原装
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isc/固电半导体
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TO-263
2024+ -
8000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
2SK3109-AZ 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：40 ns
- 典型接通延迟时间：12 ns
- 典型栅极电荷@Vgs：18 nC V @ 10
- 典型输入电容值@Vds：400 pF V @ 10
- 安装类型：通孔
- 引脚数目：3
- 最低工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：1500 mW
- 最大栅源电压：±30 V
- 最大漏源电压：200 V
- 最大漏源电阻值：0.4
- 最大连续漏极电流：10 A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：1
- 类别：功率 MOSFET
- 通道模式：增强
- 通道类型：N
- 配置：单
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- 1SS133
- 1SS181
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