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2SJ669(Q)
MOSFET 晶体管- 参考价格：RMB3.42-RMB4.21
更新日期：2024-04-01 00:04:00
2SJ669(Q)
MOSFET 晶体管- 参考价格：RMB3.42-RMB4.21
2SJ669(Q) 中文资料属性参数
- 典型栅极电荷@Vgs：15 nC V @ 10
- 典型输入电容值@Vds：700 pF V @ 10
- 安装类型：通孔
- 宽度：3.5mm
- 封装类型：TPS
- 尺寸：8 x 3.5 x 7mm
- 引脚数目：3
- 最低工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：1200 mW
- 最大栅源电压：±20 V
- 最大漏源电压：60 V
- 最大漏源电阻值：0.17
- 最大连续漏极电流：5 A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：1
- 类别：功率 MOSFET
- 通道模式：增强
- 通道类型：P
- 配置：单
- 长度：8mm
- 高度：7mm
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