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- 封装：TO-225AA，TO-126-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.2457-$0.73
更新日期：2024-04-01
产品简介：TRANSISTOR NPN MED PWR SOT32
- 封装：TO-225AA，TO-126-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.2457-$0.73
2SD882 供应商
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2SD882
原装现货 -
韦盛/VSEEI
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TO-252TO-126
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9705
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深圳
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只做大芯片，替代进口
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2SD882
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NEC
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2019 -
20
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原装现货
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2SD882
热卖 -
isc/无锡固电半导体
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TO-126
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc，33年生产工厂
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RENESAS
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TO-126
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上海市
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NEC
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TO126
新批号 -
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上海市
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NEC
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TO
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原装现货，北京、上海、深圳、香港均可交易。
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NEC
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TO-126
23+ -
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上海市
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进口原装现货，杜绝假货。
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ROHM
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TO-126
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旋尔只做进口原装，假一赔十...
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NEC
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SOP-8
23+ -
15000
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中国区代理原装现货热卖特价
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Renesas
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SIP3
21+ -
540224
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上海市
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一级代理原装
2SD882 中文资料属性参数
- 其它有关文件：2SD882 View All Specifications
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：3A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.1V @ 150mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大）：100µA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 100mA，2V
- 功率 - 最大：12.5W
- 频率 - 转换：100MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3
- 供应商设备封装：SOT-32-3
- 包装：管件
- 其它名称：497-4821-5
2SD882 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2SD882
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NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
9页,92K | 查看 |
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2SD882HT
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Dated: 16/09/2016 C Rev: 02 TOP DYNAMIC 2SD882HT NPN Silicon Power Transistor The transistor is subdivided into four groups, R, Q, P and E, according to its DC current gain. Absolute Maximum Ratings (T a = 25℃) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage V CBO 60 V Collector Emitter Voltage V CEO 30 V Emitter Base Voltage V EBO 5 V Collector Current I C 3 A Collector Current (Pulse) I CP 7 A Total Power Dissipation(T a = 25℃) P tot 1 W Total Power Dissipation(T C = 25℃) P tot 10 W Junction Temperature T j 150 ℃ Storage Temperature Range T stg - 55 to + 150 ℃ Characteristics at T a = 25℃ Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit DC Current Gain at V CE = 2 V, I C = 1 A Current Gain Group at V CE = 2 V, I C = 20 mA R Q P E h FE h FE h FE h FE h FE 60 100 160 200 30 - - - - - 120 200 320 400 |
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2SD882T
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Dated : 16/09/2016 Rev: 01 TOP DYNAMIC 2SD882T NPN Silicon Power Transistor The transistor is subdivided into four groups, R, Q, P and E, according to its DC current gain. Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector to Base Voltage V CBO 40 V Collector to Emitter Voltage V CEO 30 V Emitter to Base Voltage V EBO 5 V Collector Current I C 3 A Collector Current (pulse) I C (pulse) 7 A Total power dissipation (T a = 25 O C) P tot 1 W Total power dissipation (T c = 25 O C) P tot 10 W Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T Stg -55 to +150 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit DC Current Gain at V CE = 2 V, I C = 1 A Current Gain Group R Q P E at V CE = 2 V, I C = 20 mA h FE h FE h FE h FE h FE 60 100 160 200 30 - - - - - 120 200 320 400 |
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2SD882T-HAF
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2页,1K | 查看 | |
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2SD882Y
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
3页,178K | 查看 |