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2SD23210RA
晶体管(BJT) - 单路- 封装：NS-B1
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带盒（TB）
更新日期：2024-04-01 00:04:00
2SD23210RA
晶体管(BJT) - 单路产品简介：TRANS NPN 20VCEO 5A NS-B1
- 封装：NS-B1
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带盒（TB）
2SD23210RA 中文资料属性参数
- 数据列表：2SD2321 View all Specifications
- 标准包装：5,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：5A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：20V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大）：1µA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：340 @ 500mA，2V
- 功率 - 最大：400mW
- 频率 - 转换：150MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：NS-B1
- 供应商设备封装：NS-B1
- 包装：带盒（TB）
- 其它名称：2SD23210RATB
2SD23210RA 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2SD23210RA
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TRANS NPN 20V 5A NS-B1 |
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