搜索
发布采购
2SD22200RA
晶体管(BJT) - 单路- 封装：3-SIP
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带盒（TB）
更新日期：2024-04-01 00:04:00
2SD22200RA
晶体管(BJT) - 单路产品简介：TRANS NPN 80VCEO 1A MT-3
- 封装：3-SIP
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带盒（TB）
2SD22200RA 中文资料属性参数
- 数据列表：2SD22200RA View all Specifications
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.8V @ 1mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：8000 @ 1A，10V
- 功率 - 最大：1.5W
- 频率 - 转换：150MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：3-SIP
- 供应商设备封装：MT-3-A1
- 包装：带盒（TB）
- 其它名称：2SD2220-R(TA)2SD22200RATB