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2SD2012(F,M)
晶体管(BJT) - 单路- 封装：TO-220-3 整包
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
更新日期：2024-04-01 00:04:00
2SD2012(F,M)
晶体管(BJT) - 单路产品简介：TRANSISTOR NPN 60V 3A TO220NIS
- 封装：TO-220-3 整包
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
2SD2012(F,M) 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
TOSHIBA
-
SMD
2017+ -
1000
-
上海市
-
-
-
原装进口
2SD2012(F,M) 中文资料属性参数
- 标准包装：500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：3A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：60V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 500mA，5V
- 功率 - 最大：2W
- 频率 - 转换：3MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：TO-220NIS
- 包装：散装