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2SD1991ARA
晶体管(BJT) - 单路- 封装：3-SIP
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带盒（TB）
更新日期：2024-04-01 00:04:00
2SD1991ARA
晶体管(BJT) - 单路产品简介：TRANS NPN GP AMP 50VCEO MT-1
- 封装：3-SIP
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带盒（TB）
2SD1991ARA 中文资料属性参数
- 数据列表：2SD1991A View all Specifications
- 标准包装：2,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 10mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：1µA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：210 @ 2mA，10V
- 功率 - 最大：400mW
- 频率 - 转换：150MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：3-SIP
- 供应商设备封装：MT-1-A1
- 包装：带盒（TB）
- 其它名称：2SD1991A-R(TA)2SD1991ARATB2SD1991ARTA2SD1991ARTB2SD1991ARTB-ND