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2SD11990S
晶体管(BJT) - 单路- 封装：3-SIP
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
更新日期：2024-04-01 00:04:00
2SD11990S
晶体管(BJT) - 单路产品简介：TRANS NPN 40VCEO 50MA M TYPE
- 封装：3-SIP
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
2SD11990S 中文资料属性参数
- 数据列表：2SD1199 View all Specifications
- 标准包装：500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：50mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：40V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 1mA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：1µA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：600 @ 2mA，10V
- 功率 - 最大：400mW
- 频率 - 转换：120MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：3-SIP
- 供应商设备封装：M-A1
- 包装：散装