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  • 封装:TO-243AA
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:带卷 (TR)
  • 参考价格:$0.11717-$0.15858

更新日期:2024-04-01

产品简介:TRANSISTOR NPN 50V 1A SOT-89

  • 封装:TO-243AA
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:带卷 (TR)
  • 参考价格:$0.11717-$0.15858

2SC5053T100Q 供应商

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2SC5053T100Q 中文资料属性参数

  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 500mA,3V
  • 功率 - 最大:2W
  • 频率 - 转换:150MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-243AA
  • 供应商设备封装:MPT3
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:2SC5053T100QTR

2SC5053T100Q 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
2SC5053T100Q

TRANSISTOR;NPN;MPT3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:120; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:400mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:150MHz; Hfe Min:120; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:500mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power Bipolar

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