搜索
发布采购
- 封装：TO-225AA，TO-126-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.2457-$0.73
更新日期：2024-04-01
产品简介：TRANSISTOR PNP MED PWR SOT32
- 封装：TO-225AA，TO-126-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.2457-$0.73
2SB772 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
2SB772
原装现货 -
三联盛/
-
SOT-23
22/23+ -
9999999
-
深圳
-
11-12
-
isc/固电半导体
-
TO-126
2024+ -
66000
-
无锡
-
-
-
国产品牌isc，33年国产工厂
-
UTC
-
TO126
21+ -
50000
-
上海市
-
-
-
原装现货!品质为先!请来电垂询！
-
TOSBIA
-
SOT89
23+ -
58000
-
上海市
-
-
-
进口原装现货，杜绝假货。
-
ROHM
-
TO-126
22+授权代理 -
15800
-
上海市
-
-
-
旋尔只做进口原装，假一赔十...
-
Renesas
-
SIP3
21+ -
271177
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
-
RENESAS/ELNAF
-
TO-126
1804+ -
19800
-
上海市
-
-
-
原装现货,精专配套,正品BOM表报价
-
REN
-
TO-126
24+ -
1000
-
深圳
-
-
-
只做原装，好价支持
-
NEC
-
TO-126
2019+ -
5800
-
上海市
-
-
-
全新原装现货
-
-
23+ -
46000
-
合肥
-
-
-
科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
2SB772 中文资料属性参数
- 其它有关文件：2SB772 View All Specifications
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：3A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.1V @ 150mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大）：100µA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 100mA，2V
- 功率 - 最大：12.5W
- 频率 - 转换：100MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3
- 供应商设备封装：SOT-32-3
- 包装：管件
- 其它名称：497-4829-5
2SB772 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2SB772
|
PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR |
8页,90K | 查看 |
|
2SB772R
|
Dated：31/08/2016 D Rev：04 TOP DYNAMIC 2SB772R PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -V CBO 40 V Collector Emitter Voltage -V CEO 30 V Emitter Base Voltage -V EBO 6 V Collector Current -I C 3 A Total Power Dissipation @ T a = 25 O C P D 1.25 W Total Power Dissipation @ T c = 25 O C P D 10 W Operating and Storage Junction Temperature Range T j , T stg - 55 to + 150 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Max. Unit DC Current Gain at -V CE = 2 V, -I C = 1 A Current Gain Group Q P h FE h FE |
3页,301K | 查看 |
|
2SB772R
|
3页,1K | 查看 | |
|
2SB772R-HAF
|
Dated：31/08/2016 D Rev：04 TOP DYNAMIC 2SB772R-HAF PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -V CBO 40 V Collector Emitter Voltage -V CEO 30 V Emitter Base Voltage -V EBO 6 V Collector Current -I C 3 A Total Power Dissipation @ T a = 25 O C P D 1.25 W Total Power Dissipation @ T c = 25 O C P D 10 W Operating and Storage Junction Temperature Range T j , T stg - 55 to + 150 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Max. Unit DC Current Gain at -V CE = 2 V, -I C = 1 A Current Gain Group Q P h FE h FE 1 |
3页,301K | 查看 |
|
2SB772T
|
Dated : 16/09/2016 Rev:02 TOP DYNAMIC E B C 2SB772T PNP Silicon Epitaxial Power Transistor These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -V CBO 40 V Collector Emitter Voltage -V CEO 30 V Emitter Base Voltage -V EBO 5 V Collector Current - DC Collector Current - Pulse 1) -I C -I CP 3 7 A A Base Current - DC -I B 0.6 A Total Power Dissipation P tot 10 1 W Operating and Storage Junction Temperature Range T j , T stg - 65 to + 150 O C 1) PW = 10 ms, Duty Cycle ≤ 50 % Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit DC Current Gain at -V CE = 2 V, -I C = 20 mA at -V CE = 2 V, -I C = 1 A Current Gain Group R Q P |
2页,388K | 查看 |
|
2SB772T-HAF
|
2页,1K | 查看 |