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- 封装：TO-243AA
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.169-$0.23
更新日期：2024-04-01
产品简介：TRANS PNP 20V 5A SOT-89
- 封装：TO-243AA
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.169-$0.23
2SB1386T100Q 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
ROHM/ELNAF
-
SOT-89
1820+ -
43000
-
上海市
-
-
-
原装现货,精专配套,正品BOM表报价
2SB1386T100Q 中文资料属性参数
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：5A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：20V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：120 @ 500mA，2V
- 功率 - 最大：2W
- 频率 - 转换：120MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-243AA
- 供应商设备封装：MPT3
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：2SB1386T100Q-ND2SB1386T100QTR
2SB1386T100Q 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2SB1386T100Q
|
TRANS. SOT-89;BCE PNP; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:82; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:1V; Current Ic Continuous a Max:4A; Gain Bandwidth ft Typ:120MHz; Hfe Min:120; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:500mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS) |
5页,108K | 查看 |