- 封装:TO-243AA
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.157-$0.209
更新日期:2024-04-01
产品简介:TRANSISTOR PNP 32V 2A SO-89
- 封装:TO-243AA
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.157-$0.209
2SB1188T100Q 供应商
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ROHM
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SOT-89
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350
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上海市
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经营22年实体店原装,具体年份和数量以实际为准
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ROHM
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??μ
20+ -
149000
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上海市
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оо0.692?
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ROHM
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晶体管
22+授权经销商 -
20000
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上海市
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ROHM
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MPT3(SOT-89-3)(SC-62)
21+ -
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ROHM/ELNAF
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SOT-89
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ROHM
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SOT-89
23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业,提供一站式配套服务
2SB1188T100Q 中文资料属性参数
- 标准包装:1,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):32V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):800mV @ 200mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大):-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 500mA,3V
- 功率 - 最大:2W
- 频率 - 转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:MPT3
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:2SB1188T100QTR
2SB1188T100Q 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
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TRANSISTOR,PNP,32V,2A,SO-89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-32V; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-2A; DC Current Gain hFE:82; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Gain Bandwidth ft Typ:100MHz |
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