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2SB11560P
晶体管(BJT) - 单路- 封装：TOP-3F
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
更新日期：2024-04-01 00:04:00
2SB11560P
晶体管(BJT) - 单路产品简介：TRANS PNP 80VCEO 20A TOP-3F
- 封装：TOP-3F
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
2SB11560P 中文资料属性参数
- 数据列表：2SB1156 View all Specifications
- 标准包装：40
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：20A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 2A，20A
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：130 @ 3A，2V
- 功率 - 最大：3W
- 频率 - 转换：30MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TOP-3F
- 供应商设备封装：TOP-3F-A1
- 包装：散装