2N7002 H6327
MOSFET- RoHS:
镉(Cd)/镉化合物 0.01%
六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
铅(Pb)/铅化合物 0.10%
汞(Hg)/汞化合物 0.10%
多溴联苯(PBB)0.10%
多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:MOSFET N-Channel 60V MOSFET - 参考价格:¥0.20-¥1.10
更新日期:2024-04-01
2N7002 H6327
MOSFET产品简介:MOSFET N-Channel 60V MOSFET
- RoHS:
镉(Cd)/镉化合物 0.01%
六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
铅(Pb)/铅化合物 0.10%
汞(Hg)/汞化合物 0.10%
多溴联苯(PBB)0.10%
多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:MOSFET N-Channel 60V MOSFET - 参考价格:¥0.20-¥1.10
2N7002 H6327 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
INFINEON/英飞凌
-
-
2022+ -
1900
-
上海市
-
-
-
原装现货
2N7002 H6327 中文资料属性参数
- 制造商:Infineon
- 晶体管极性:N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:60 V
- 闸/源击穿电压:+/- 20 V
- 漏极连续电流:300 mA
- 电阻汲极/源极 RDS(导通):3 Ohms at 10 V
- 配置:Single
- 最大工作温度:+ 150 C
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:SOT-23-3
- 封装:Reel
- 下降时间:3.1 nS
- 栅极电荷 Qg:0.4 nC
- 最小工作温度:- 55 C
- 功率耗散:500 mW
- 上升时间:3.3 nS
- 典型关闭延迟时间:5.5 nS
- 零件号别名:2N7002H6327XTSA1 2N7002H6327XTSA2 SP000868322
2N7002 H6327 相关产品
- 1.5KE100A-E3/54
- 1.5KE16CA-E3/54
- 1.5KE18A-E3/54
- 1.5KE18CA-E3/54
- 1.5KE200A-E3/54
- 1.5KE220CA-E3/54
- 1.5KE24ARL4
- 1.5KE27A-E3/54
- 1.5KE30A-E3/54
- 1.5KE30CA-E3/54
- 1.5KE36CA-E3/54
- 1.5KE43A-E3/54
- 1.5KE440CA-E3/54
- 1.5KE6.8C-E3/54
- 1.5KE62A-E3/54
- 1.5SMC100A-E3/57T
- 1.5SMC200A-E3/57T
- 1.5SMC200CA-E3/57T
- 1.5SMC27CAHE3/57T
- 1.5SMC39A-E3/57T
- 1.5SMC400A-E3/57T
- 1.5SMC440A-E3/57T
- 1.5SMC540A-E3/57T
- 10A10
- 10ETS10S
- 111RKI120
- 111RKI40
- 111RKI80
- 123NQ080R
- 129NQ135R