搜索
发布采购
2N6729
Transistors Bipolar (BJT)更新日期：2024-04-01 00:04:00
2N6729
Transistors Bipolar (BJT)产品简介：Transistors Bipolar (BJT) -
2N6729 中文资料属性参数
- 制造商：Diodes Inc.
- 晶体管极性：PNP
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
- 最大直流电集电极电流：1 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：80 at 50 mA at 1 V
- 配置：Single
- 最大工作频率：500 MHz
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：Through Hole
- 封装 / 箱体：TO-92
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：1000 mW
2N6729
2N6729 相关产品
- 1.5KE100A-E3/54
- 1.5KE16CA-E3/54
- 1.5KE18A-E3/54
- 1.5KE18CA-E3/54
- 1.5KE200A-E3/54
- 1.5KE220CA-E3/54
- 1.5KE24ARL4
- 1.5KE27A-E3/54
- 1.5KE30A-E3/54
- 1.5KE30CA-E3/54
- 1.5KE36CA-E3/54
- 1.5KE43A-E3/54
- 1.5KE440CA-E3/54
- 1.5KE6.8C-E3/54
- 1.5KE62A-E3/54
- 1.5SMC100A-E3/57T
- 1.5SMC200A-E3/57T
- 1.5SMC200CA-E3/57T
- 1.5SMC27CAHE3/57T
- 1.5SMC39A-E3/57T
- 1.5SMC400A-E3/57T
- 1.5SMC440A-E3/57T
- 1.5SMC540A-E3/57T
- 10A10
- 10ETS10S
- 111RKI120
- 111RKI40
- 111RKI80
- 123NQ080R
- 129NQ135R