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Central Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

更新日期：2024-04-01

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Central Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

产品简介：Transistors Bipolar (BJT) PNP Darlington

2N6727 供应商

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2N6727 中文资料属性参数

  • 制造商：Central Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 最大直流电集电极电流：2 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：60 at 0.1 A at 1 V
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：500 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-237
  • 封装：Box
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：2 W
  • 工厂包装数量：2000

2N6727 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
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