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更新日期:2024-04-01

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产品简介:Transistors Bipolar (BJT) NPN Med Power

2N6718 供应商

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2N6718 中文资料属性参数

  • 制造商:Central Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
  • 最大直流电集电极电流:2 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:50
  • 最大工作频率:50 MHz
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-237
  • 封装:Box
  • 功率耗散:2 W
  • 工厂包装数量:2000

2N6718 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
2N6718

Power Transistors

1 Pages页,36K 查看
2N6718L

Mini size of Discrete semiconductor elements

15 Pages页,474K 查看

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