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2N6649
单双极晶体管更新日期：2024-04-01
2N6649
单双极晶体管产品简介：PNP TRANSISTOR
2N6649 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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isc/固电半导体
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TO-3
2024+ -
9000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
2N6649 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：100 : ￥881.72370散装
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- 晶体管类型：PNP - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V
- 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 100μA，10A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：1mA
- 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：1000 @ 5A，3V
- 功率 - 最大值：5 W
- 频率 - 跃迁：-
- 工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装：TO-204AA（TO-3）