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2N6520

Transistors Bipolar (BJT)

更新日期：2024-04-01

2N6520

Transistors Bipolar (BJT)

产品简介：Transistors Bipolar (BJT) -

2N6520 供应商

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2N6520 中文资料属性参数

  • 制造商：Diodes Inc.
  • 晶体管极性：PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：350 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 最大直流电集电极电流：0.5 A
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：40 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-92
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：680 mW

2N6520 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
2N6520

PNP Epitaxial Silicon Transistor

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High Voltage Transistor 625mW

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High Voltage Transistors

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2N6520

High Voltage Transistors

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2N6520

Mini size of Discrete semiconductor elements

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2N6520RLRAG

BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -350V TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:350V; Transition Frequency Typ ft:200MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain Max (hfe):40 ;RoHS Compliant: Yes

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