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- 封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
更新日期：2024-04-01
产品简介：TRANS NPN SS GP 350V TO92
- 封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
2N6517 供应商
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mot
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原厂原包
22+授权代理 -
15800
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旋尔只做进口原装，假一赔十...
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FAIRCHILD
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TO-92
23+ -
58000
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上海市
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进口原装现货，杜绝假货。
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onsemi
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TO-92
21+ -
82138
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上海市
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一级代理原装
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ON/安森美
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SMD
21+ -
10000
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杭州
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只做原装现货，大量现货热卖
2N6517 中文资料属性参数
- 标准包装：5,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：350V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：20 @ 50mA，10V
- 功率 - 最大：625mW
- 频率 - 转换：200MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：散装
- 其它名称：2N6517OS
2N6517 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2N6517
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
1 Pages页,36K | 查看 |
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2N6517
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NPN Epitaxial Silicon Transistor |
3 Pages页,36K | 查看 |
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2N6517
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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
1 Pages页,36K | 查看 |
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2N6517
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High Voltage Transistor 625mW |
6 Pages页,36K | 查看 |
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2N6517
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High Voltage Transistors |
8 Pages页,36K | 查看 |
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2N6517
|
High Voltage Transistors |
8 Pages页,36K | 查看 |
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2N6517
|
Mini size of Discrete semiconductor elements |
15 Pages页,36K | 查看 |
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2N6517BU
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Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:350V; Transition Frequency Typ, ft:200MHz; Power Dissipation, Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain Max (hfe):30; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
3页,27K | 查看 |