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更新日期:2024-04-01

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产品简介:Transistors Bipolar (BJT) PNP Med Power

  • 参考价格:¥5.80-¥8.14

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2N6476 中文资料属性参数

  • 制造商:Central Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:120 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
  • 最大直流电集电极电流:4 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:15
  • 最大工作频率:5 MHz
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220
  • 封装:Box
  • 集电极连续电流:0.45 A
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:40 W
  • 工厂包装数量:400

2N6476 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
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