- 封装:TO-220-3
- RoHS:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
更新日期:2024-04-01
产品简介:TRANS NPN PWR GP 7A 70V TO220AB
- 封装:TO-220-3
- RoHS:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
2N6292 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
isc/固电半导体
-
TO-220
2024+ -
56000
-
无锡
-
-
-
国产品牌isc,33年国产工厂
-
ON
-
TSSOP
23+ -
46000
-
合肥
-
-
-
科大讯飞战略投资企业,提供一站式配套服务
-
ONS
-
原厂原封装
新批号 -
887000
-
上海市
-
-
-
原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
2N6292 中文资料属性参数
- 标准包装:50
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):7A
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):70V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):3.5V @ 3A,7A
- 电流 - 集电极截止(最大):1mA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):30 @ 2A,4V
- 功率 - 最大:40W
- 频率 - 转换:4MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
- 其它名称:2N6292OS
2N6292 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
Complementary Silicon Plastic Power Transistors |
8 Pages页,55K | 查看 |
![]() |
NPN SILICON TRANSISTOR |
1 Pages页,55K | 查看 |
![]() |
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
4 Pages页,55K | 查看 |
![]() |
POWER TRANSISTORS(7A,40W) |
4 Pages页,55K | 查看 |
![]() |
EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS |
3 Pages页,55K | 查看 |
![]() |
Transistor; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:7V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):30V; Power Dissipation, Pd:40W; DC Current Gain Min (hfe):30; Package/Case:3-TO-220 ;RoHS Compliant: Yes |
5页,91K | 查看 |