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- 封装：TO-220-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.39102-$1.03
更新日期：2024-04-01
产品简介：TRANS PNP 30V 7A TO-220
- 封装：TO-220-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.39102-$1.03
2N6111 供应商
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isc/固电半导体
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TO-220
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
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ST/ELNAF
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TO220
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
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SOIC8
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上海市
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一级代理原装
2N6111 中文资料属性参数
- 其它有关文件：2N6111 View All Specifications
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：7A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：3.5V @ 3A，7A
- 电流 - 集电极截止（最大）：1mA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：30 @ 3A，4V
- 功率 - 最大：40W
- 频率 - 转换：4MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
- 其它名称：497-2613-5
2N6111 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2N6111
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SILICON PNP SWITCHING TRANSISTORS |
4 Pages页,79K | 查看 |
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2N6111
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NPN SILICON TRANSISTOR |
1 Pages页,79K | 查看 |
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2N6111
|
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
4 Pages页,79K | 查看 |
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2N6111
|
POWER TRANSISTORS(7A,40W) |
4 Pages页,79K | 查看 |
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2N6111
|
Complementary Silicon Plastic Power Transistors |
8 Pages页,79K | 查看 |
|
2N6111
|
EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS |
3 Pages页,79K | 查看 |
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2N6111G
|
Power Transistor; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:30V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):30V; DC Current Gain Min (hfe):30; Package/Case:3-TO-220; Frequency Min:40MHz ;RoHS Compliant: Yes |
5页,91K | 查看 |