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- 封装：TO-220-3
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
更新日期：2024-04-01
产品简介：TRANS PNP PWR GP 7A 70V TO220AB
- 封装：TO-220-3
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
2N6107 供应商
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2N6107 中文资料属性参数
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：7A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：70V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：3.5V @ 3A，7A
- 电流 - 集电极截止（最大）：1mA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：30 @ 2A，4V
- 功率 - 最大：40W
- 频率 - 转换：10MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
- 其它名称：2N6107OS
2N6107 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
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 2N6107
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SILICON PNP SWITCHING TRANSISTORS |
4 Pages页,180K | 查看 |
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2N6107
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NPN SILICON TRANSISTOR |
1 Pages页,180K | 查看 |
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2N6107
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POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
4 Pages页,180K | 查看 |
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2N6107
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POWER TRANSISTORS(7A,40W) |
4 Pages页,180K | 查看 |
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2N6107
|
Complementary Silicon Plastic Power Transistors |
8 Pages页,180K | 查看 |
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2N6107
|
EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS |
3 Pages页,180K | 查看 |
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2N6107G
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POWER TRANSISTOR, PNP, -70V, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:70V; Transition Frequency Typ ft:10MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:7A; DC Current Gain Max (hfe):4 ;RoHS Compliant: Yes |
5页,91K | 查看 |