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- 封装：TO-204AA，TO-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
更新日期：2024-04-01
产品简介：TRANS DARL NPN 100V 12A TO-3
- 封装：TO-204AA，TO-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
2N6059 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
isc/固电半导体
-
TO-3
2024+ -
17000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
2N6059 中文资料属性参数
- 标准包装：20
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：12A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：3V @ 120mA，12A
- 电流 - 集电极截止（最大）：1mA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：750 @ 6A，3V
- 功率 - 最大：150W
- 频率 - 转换：4MHz
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：TO-204AA，TO-3
- 供应商设备封装：TO-3
- 包装：管件
- 其它名称：497-2561-5
2N6059 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
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 2N6059
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SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
4 Pages页,196K | 查看 |
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2N6059
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POWER TRANSISTORS(12A,150W) |
4 Pages页,196K | 查看 |
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2N6059
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NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
2 Pages页,196K | 查看 |
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2N6059
|
Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
8 Pages页,196K | 查看 |
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2N6059
|
DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
6 Pages页,196K | 查看 |
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2N6059
|
DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS |
4 Pages页,196K | 查看 |