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- 封装：TO-204AA，TO-3
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：托盘
更新日期：2024-04-01
产品简介：TRANS DARL PNP 12A 100V TO3
- 封装：TO-204AA，TO-3
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：托盘
2N6052 供应商
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新批号 -
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
2N6052 中文资料属性参数
- 标准包装：100
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：12A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：3V @ 120mA，12A
- 电流 - 集电极截止（最大）：1mA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：750 @ 6A，3V
- 功率 - 最大：150W
- 频率 - 转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-204AA，TO-3
- 供应商设备封装：TO-3
- 包装：托盘
- 其它名称：2N6052OS
2N6052 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2N6052
|
POWER TRANSISTORS(12A,150W) |
4 Pages页,196K | 查看 |
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2N6052
|
DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS |
4 Pages页,196K | 查看 |
|
2N6052
|
Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
8 Pages页,196K | 查看 |
|
2N6052
|
DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
6 Pages页,196K | 查看 |
|
2N6052G
|
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:100V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2V; Power Dissipation, Pd:150W; DC Current Gain Min (hfe):750; Package/Case:TO-204 ;RoHS Compliant: Yes |
5页,132K | 查看 |