您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

2N5686

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

更新日期：2024-04-01

2N5686

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

产品简介：Transistors Bipolar (BJT) 50A 80V 300W NPN

2N5686 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

2N5686 中文资料属性参数

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 最大直流电集电极电流：50 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：15
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：2 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-204-2 (TO-3)
  • 封装：Tray
  • 集电极连续电流：50 A
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：300 W
  • 工厂包装数量：100

2N5686 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
2N5686G

BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency Typ ft:2MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:50A; DC Current Gain Max (hfe):2 ;RoHS Compliant: Yes

5页,115K 查看

2N5686 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9