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- 封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
更新日期：2024-04-01
产品简介：TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92
- 封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
2N5551 供应商
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- 说明
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-
2N5551S-RTK/P
原装现货 -
KEC
-
SOT-23
2117泰 -
212558
-
北京市
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02-12
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原厂授权渠道，现货
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2N5551
订货 -
FSC
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TO-92
2012 -
244
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深圳
-
-
-
JDW
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TO-92
- -
100
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上海市
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-
-
经营22年实体店原装,具体年份和数量以实际为准
-
ns
-
TO-92
22+授权代理 -
15800
-
上海市
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-
旋尔只做进口原装，假一赔十...
-
ON
-
TO
22+ -
758500
-
常州
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全新原装现货，假一赔十
-
ON
-
TO-92
23+ -
58000
-
上海市
-
-
-
进口原装现货，杜绝假货。
-
仙童
-
TO-92
新批号 -
8887770
-
上海市
-
-
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
-
onsemi
-
TO-92
21+ -
32510
-
上海市
-
-
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一级代理原装
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ON Semiconductor
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23+ -
8000
-
上海市
-
-
-
原厂原装假一赔十
-
ON
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TO-92
21+ -
20000
-
上海市
-
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原装现货!品质为先！请来电垂询！
2N5551 中文资料属性参数
- 标准包装：5,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：600mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：160V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 10mA，5V
- 功率 - 最大：625mW
- 频率 - 转换：300MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：散装
- 其它名称：2N5551OS
2N5551 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2N5551C
|
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE) |
2页,156K | 查看 |
|
2N5551RL1
|
Amplifier Transistors |
6 Pages页,72K | 查看 |
|
2N5551RLRA
|
Amplifier Transistors |
6 Pages页,82K | 查看 |
|
2N5551RLRM
|
Amplifier Transistors |
6 Pages页,82K | 查看 |
|
2N5551RLRP
|
Amplifier Transistors |
6 Pages页,82K | 查看 |
|
2N5551S
|
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE) |
2页,156K | 查看 |
|
2N5551TFR
|
2N5551 Series 160 V CE Breakdown 0.6 A NPN General Purpose Amplifier - TO-92 |
5页,217K | 查看 |