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2N5460_L99Z

Fairchild Semiconductor JFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：JFET P-Channel Transistor General Purpose

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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2N5460_L99Z

Fairchild Semiconductor JFET

产品简介：JFET P-Channel Transistor General Purpose

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：JFET P-Channel Transistor General Purpose

2N5460_L99Z 中文资料属性参数

  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 产品种类：JFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）：- 1 mA to - 5 mA
  • 闸/源击穿电压：40 V
  • 配置：Single
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-92
  • 封装：Bulk
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：0.001 S to 0.004 S
  • 功率耗散：350 mW
  • 工厂包装数量：2000

2N5460_L99Z 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
2N5460_L99Z

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